BSS123LT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.225Вт, 6.0 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 170мА |
| Сопротивление открытого канала: | 6 Ом |
| Мощность макс.: | 225мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.8В |
| Входная емкость: | 20пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | BSS123LT1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-канал 100В/0.17А/0.225 Вт/6.0 Ом |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Компонент BSS123LT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.225Вт, 6.0 Ом - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.