MTB50P03HDLT4G, Транзистор полевой P-канальный 30В 50A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 50A |
| Сопротивление открытого канала: | 25 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 100нКл |
| Входная емкость: | 4900пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто: | 1.2 г. |
| Наименование: | MTB50P03HDLT4G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
MTB50P03HDLT4G, Транзистор полевой P-канальный 30В 50A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.