FDS6680A, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12.5А 2.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 12.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 9.5 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 23нКл |
| Входная емкость: | 1620пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.13 г. |
| Наименование: | FDS6680A |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | N-Channel 30 V 9.5 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
FDS6680A, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12.5А 2.5Вт - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12.5A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.