DMN2022UFDF-7, Транзистор полевой N-канальный 20В 7.9A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 7.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 22 мОм |
| Мощность макс.: | 660мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 18нКл |
| Входная емкость: | 907пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | DMN2022UFDF-7 |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | uDFN6 |
Описание
Компонент DMN2022UFDF-7, Транзистор полевой N-канальный 20В 7.9A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.9A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Diodes Incorporated. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.