PSMN102-200Y,115, Транзистор полевой N-канальный 200В 21.5A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 21.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 102 мОм |
| Мощность макс.: | 113Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 30.7нКл |
| Входная емкость: | 1568пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | LFPAK |
| Наименование: | PSMN102-200Y,115 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1500 шт. |
Описание
PSMN102-200Y,115, Транзистор полевой N-канальный 200В 21.5A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 21.5A Сопротивление открытого канала: 102 мОм Мощность макс.: 113Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: NEXPERIA. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.