DMN2300UFB4-7B, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.3 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 1.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 175 мОм |
| Мощность макс.: | 470мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 950mВ |
| Заряд затвора: | 1.6нКл |
| Входная емкость: | 64.3пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-883 |
| Наименование: | DMN2300UFB4-7B |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 10000 шт. |
Описание
DMN2300UFB4-7B, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.3 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 470мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Diodes Incorporated. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.