FDP12N50NZ, Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 11.5 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 11.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 520 мОм |
| Мощность макс.: | 170Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 30нКл |
| Входная емкость: | 1235пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FDP12N50NZ |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
FDP12N50NZ, Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 11.5 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 520 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.