SI2377EDS-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4.4 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 4.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 61 мОм |
| Мощность макс.: | 1.8Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 21нКл |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Наименование: | SI2377EDS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI2377EDS-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4.4 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Vishay. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 61 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.