SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40В |
| Ток стока макс.: | 4.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 77 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 21нКл |
| Входная емкость: | 595пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | SI2319CDS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.