FDS6676AS, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14.5А 1.2Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 14.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 6 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 63нКл |
| Входная емкость: | 2510пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.12 г. |
| Наименование: | FDS6676AS |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 30V 14.5A 1.2W |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 100 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
FDS6676AS, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14.5А 1.2Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.5A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.