CSD17579Q3A, Транзистор полевой N-канальный 30В 35A QFN
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Texas Instruments |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 20A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 10.2 мОм @ 8А, 10В |
| Мощность макс.: | 3.2Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.9В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 15нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 998пФ @ 15В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | CSD17579Q3A |
| Производитель: | Texas Instruments |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 35A QFN |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
| Корпус: | 8-VSONP (3x3.15) |
Описание
CSD17579Q3A, Транзистор полевой N-канальный 30В 35A QFN - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Texas Instruments. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A(Ta) Сопротивление открытого канала: 10.2 мОм @ 8А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.