NDS356AP, Транзистор полевой P-канальный 30В 1.1A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 1.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 200 мОм |
| Мощность макс.: | 460мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 4.4нКл |
| Входная емкость: | 280пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Наименование: | NDS356AP |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
NDS356AP, Транзистор полевой P-канальный 30В 1.1A — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Заряд затвора: 4.4нКл
- Корпус: SOT23-3
- Мощность макс.: 460мВт
- Наименование: NDS356AP
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Нормоупаковка: 3000 шт.
- Описание Eng: MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
- Особенности: Logic Level Gate