NDD04N60ZT4G, Транзистор полевой N-канальный 600В 4.1A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 4.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 2 Ом |
| Мощность макс.: | 83Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 29нКл |
| Входная емкость: | 640пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.4 г. |
| Наименование: | NDD04N60ZT4G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Техническое описание: NDD04N60ZT4G, Транзистор полевой N-канальный 600В 4.1A. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Ток стока макс.: 4.1A
- Вес брутто: 0.4 г.
- Входная емкость: 640пФ
- Заряд затвора: 29нКл
- Корпус: DPAK/TO-252AA
- Мощность макс.: 83Вт
- Наименование: NDD04N60ZT4G
- Напряжение исток-сток макс.: 600В