IPD60R950C6ATMA1, Транзистор полевой N-канальный 600В 4.4A TO252
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 4.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 950 мОм |
| Мощность макс.: | 37Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.5В |
| Заряд затвора: | 13нКл |
| Входная емкость: | 280пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPD60R950C6ATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
IPD60R950C6ATMA1, Транзистор полевой N-канальный 600В 4.4A TO252 - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.