FDD7N60NZTM, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 5.5 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 5.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.25 Ом |
| Мощность макс.: | 90Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 17нКл |
| Входная емкость: | 730пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | FDD7N60NZTM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
FDD7N60NZTM, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 5.5 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.