Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот компонент отличается надёжностью, высокой мощностью и широким диапазоном рабочих напряжений, что делает его идеальным решением для многих электронных устройств и систем.

Транзистор IPB072N15N3GATMA1 обладает следующими ключевыми характеристиками:

• Напряжение исток-сток макс.: 150В
• Ток стока макс.: 100A
• Мощность макс.: 300Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Automotive
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: PG-TO 263-3 (D2Pak)
• Вес брутто: 2.83 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 1000 шт

Благодаря своим характеристикам, данный транзистор идеально подходит для использования в мощных электронных устройствах, таких как источники питания, инверторы, электродвигатели и другие высоковольтные и высокотоковые приложения. Его надёжность и производительность делают его незаменимым компонентом в широком спектре промышленных и автомобильных применений.