BSC014N06NSATMA1, Полевой транзистор N-канальный 60В 30A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 30A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.45 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.8В |
| Заряд затвора: | 89нКл |
| Входная емкость: | 6500пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | TDSON-8 FL |
| Наименование: | BSC014N06NSATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
| Нормоупаковка: | 5000 шт. |
Описание
BSC014N06NSATMA1, Полевой транзистор N-канальный 60В 30A 8-Pin TDSON EP лента на катушке - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 1.45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.