FDMC8010, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 30A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.3 мОм |
| Мощность макс.: | 2.4Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 94нКл |
| Входная емкость: | 5860пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | FDMC8010 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 8-PQFN |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | Power33 |
Описание
FDMC8010, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.