FQA55N25, Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 55 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 250В |
| Ток стока макс.: | 55A |
| Сопротивление открытого канала: | 40 мОм |
| Мощность макс.: | 310Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 180нКл |
| Входная емкость: | 6250пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-3P |
| Вес брутто: | 6.401 г. |
| Наименование: | FQA55N25 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 450 шт. |
Описание
Компонент FQA55N25, Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 55 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.