IPB65R190CFDAATMA1, Полевой транзистор N-канальный 650В 17.5A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 17.5A |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Automotive |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто: | 1.2 г. |
| Наименование: | IPB65R190CFDAATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
Описание
IPB65R190CFDAATMA1, Полевой транзистор N-канальный 650В 17.5A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 17.5A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount Корпус: D2PAK/TO263
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.