FQP22N30, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 21А 170Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 300В |
| Ток стока макс.: | 21A |
| Сопротивление открытого канала: | 160 мОм |
| Мощность макс.: | 170Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 60нКл |
| Входная емкость: | 2200пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 2.95 г. |
| Наименование: | FQP22N30 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 300V 21A TO-220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
FQP22N30, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 21А 170Вт - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.