SI3459BDV-T1-E3, Транзистор полевой P-канальный 60В 2.9A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 2.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 216 мОм |
| Мощность макс.: | 3.3Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 12нКл |
| Входная емкость: | 350пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23-6 |
| Наименование: | SI3459BDV-T1-E3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Компонент SI3459BDV-T1-E3, Транзистор полевой P-канальный 60В 2.9A (Vishay), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Входная емкость: 350пФ
- Заряд затвора: 12нКл
- Корпус: SOT-23-6
- Мощность макс.: 3.3Вт
- Наименование: SI3459BDV-T1-E3
- Напряжение исток-сток макс.: 60В
- Нормоупаковка: 3000 шт.
- Описание Eng: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP