FQP20N06L, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 21А 0.055 Ом, 53Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 21A |
| Сопротивление открытого канала: | 55 мОм |
| Мощность макс.: | 53Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 13нКл |
| Входная емкость: | 630пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 2.72 г. |
| Наименование: | FQP20N06L |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
FQP20N06L, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 21А 0.055 Ом, 53Вт - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 53Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.