FDB075N15A, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A D2PAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 130A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 7.5 мОм @ 100А, 10В |
| Мощность макс.: | 333Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 100нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 7350пФ @ 75В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Наименование: | FDB075N15A |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FDB075N15A, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A D2PAK - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 130A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 333Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.