BUK9Y6R0-60E,115, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 100A |
| Сопротивление открытого канала: | 5.2 мОм |
| Мощность макс.: | 195Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Automotive, Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.1В |
| Заряд затвора: | 39.4нКл |
| Входная емкость: | 6319пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | LFPAK |
| Наименование: | BUK9Y6R0-60E,115 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1500 шт. |
Описание
BUK9Y6R0-60E,115, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: NEXPERIA. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм Мощность макс.: 195Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.