FDFMA2P853, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 3A |
| Сопротивление открытого канала: | 120 мОм |
| Мощность макс.: | 700мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Diode (Isolated) |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.3В |
| Заряд затвора: | 6нКл |
| Входная емкость: | 435пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | FDFMA2P853 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | MicroFET6 |
Описание
FDFMA2P853, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3 А — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Нормоупаковка: 3000 шт.
- Описание Eng: MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6
- Особенности: Diode (Isolated)
- Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 120 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: P-канал