MVSF2N02ELT1G, Полевой транзистор N-канальный 20В 2.8A SOT23
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 2.8A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 85 мОм @ 3.6А, 4.5В |
| Мощность макс.: | 1.25Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 3.5нКл @ 4В |
| Входная емкость: | 150пФ @ 5В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Наименование: | MVSF2N02ELT1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
MVSF2N02ELT1G, Полевой транзистор N-канальный 20В 2.8A SOT23 - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A(Ta) Сопротивление открытого канала: 85 мОм @ 3.6А, 4.5В Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.