FDD4685, Транзистор полевой N-канальный 40В 32А 27 мОм
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40В |
| Ток стока макс.: | 8.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 27 мОм |
| Мощность макс.: | 3Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Automotive, Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 27нКл |
| Входная емкость: | 2380пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.66 г. |
| Наименование: | FDD4685 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 40V 32A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
FDD4685, Транзистор полевой N-канальный 40В 32А 27 мОм - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.4A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.