FDS4410A, Транзистор полевой N-канальный 30В 10А 2.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 10A |
| Сопротивление открытого канала: | 13.5 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 16нКл |
| Входная емкость: | 1205пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | FDS4410A |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 30V 10A 2.5W |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Компонент FDS4410A, Транзистор полевой N-канальный 30В 10А 2.5Вт - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.