FQPF7N65C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 52Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 7A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.4 Ом |
| Мощность макс.: | 52Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 36нКл |
| Входная емкость: | 1245пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 2.86 г. |
| Наименование: | FQPF7N65C |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | N-MOS+D 650V, 7A, 52W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
FQPF7N65C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 52Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.