BSZ0901NSATMA1, Полевой транзистор N-канальный 30В 25A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 22A |
| Сопротивление открытого канала: | 2 мОм |
| Мощность макс.: | 50Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.2В |
| Заряд затвора: | 45нКл |
| Входная емкость: | 2850пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SON8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | BSZ0901NSATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 5000 шт. |
Описание
Компонент BSZ0901NSATMA1, Полевой транзистор N-канальный 30В 25A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.