IRFM120ATF, Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 2.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 200 мОм |
| Мощность макс.: | 2.4Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 22нКл |
| Входная емкость: | 480пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IRFM120ATF |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1 шт. |
| Корпус: | SOT-223 |
Описание
IRFM120ATF, Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.