IPP65R225C7XKSA1, Транзистор полевой N-канальный 650В 11A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 11A |
| Сопротивление открытого канала: | 225 мОм |
| Мощность макс.: | 63Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 20нКл |
| Входная емкость: | 996пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Наименование: | IPP65R225C7XKSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 500 шт. |
Описание
IPP65R225C7XKSA1, Транзистор полевой N-канальный 650В 11A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 225 мОм Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.