BUK961R6-40E,118, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40В |
| Ток стока макс.: | 120A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 1.4 мОм @ 25А, 10В |
| Мощность макс.: | 357Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.1В @ 1mA |
| Заряд затвора: | 120нКл @ 5В |
| Входная емкость: | 16400пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | BUK961R6-40E,118 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
BUK961R6-40E,118, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: NEXPERIA. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.