FDB035N10A, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.

Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.

Основные параметры:

• Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 333Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate

Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.

Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.