IPW65R190E6FKSA1, Транзистор полевой N-канальный 650В 20,2A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 20.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 190 мОм |
| Мощность макс.: | 151Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.5В |
| Заряд затвора: | 73нКл |
| Входная емкость: | 1620пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-247 |
| Вес брутто: | 8.5 г. |
| Наименование: | IPW65R190E6FKSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | N-Ch 650V 20,2A 151W 0,19R TO247 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 5 шт. |
Описание
Техническое описание: IPW65R190E6FKSA1, Транзистор полевой N-канальный 650В 20,2A. Категория: электронные компоненты. Производитель: Infineon Technologies.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Входная емкость: 1620пФ
- Заряд затвора: 73нКл
- Корпус: TO-247
- Мощность макс.: 151Вт
- Наименование: IPW65R190E6FKSA1
- Напряжение исток-сток макс.: 650В
- Нормоупаковка: 5 шт.
- Описание Eng: N-Ch 650V 20,2A 151W 0,19R TO247