FDG332PZ, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2.6 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 2.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 95 мОм |
| Мощность макс.: | 480мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 10.8нКл |
| Входная емкость: | 560пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-363 |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | FDG332PZ |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
FDG332PZ, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2.6 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.