FDMA86551L, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6-MLP
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 7.5A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 23 мОм @ 7.5А, 10В |
| Мощность макс.: | 2.4Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 17нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 1235пФ @ 30В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | FDMA86551L |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 6-MLP |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | 6-MicroFET (2x2) |
Описание
FDMA86551L, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6-MLP - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.5A(Ta) Сопротивление открытого канала: 23 мОм @ 7.5А, 10В Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.