FDC855N, Транзистор полевой N-канальный 30В 6.1A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 6.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 27 мОм |
| Мощность макс.: | 800мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 13нКл |
| Входная емкость: | 655пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SSOT6 |
| Вес брутто: | 0.01 г. |
| Наименование: | FDC855N |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
FDC855N, Транзистор полевой N-канальный 30В 6.1A - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.1A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.