IRFI820GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.1A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 2.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 3 Ом |
| Мощность макс.: | 30Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 24нКл |
| Входная емкость: | 360пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 2.89 г. |
| Наименование: | IRFI820GPBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRFI820GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.1A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.