NDS332P, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1А 0.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 1A |
| Сопротивление открытого канала: | 300 мОм |
| Мощность макс.: | 460мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 5нКл |
| Входная емкость: | 195пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | 3-SSOT |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | NDS332P |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
NDS332P, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1А 0.5Вт - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.