IPD50R380CEATMA1, Полевой транзистор N-канальный 500В 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 9.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 380 мОм |
| Мощность макс.: | 73Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Super Junction |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.5В |
| Заряд затвора: | 24.8нКл |
| Входная емкость: | 584пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.6 г. |
| Наименование: | IPD50R380CEATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 500V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
IPD50R380CEATMA1, Полевой транзистор N-канальный 500В 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 9.9A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 73Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Super Junction
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.