FQPF8N60C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5А 48Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 7.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.2 Ом |
| Мощность макс.: | 48Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 36нКл |
| Входная емкость: | 1255пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 2.9 г. |
| Наименование: | FQPF8N60C |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | N-MOS+D 600V, 7.5A, 48W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
FQPF8N60C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5А 48Вт - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.