FDMA410NZ, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 9.5 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 9.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 23 мОм |
| Мощность макс.: | 900мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 14нКл |
| Входная емкость: | 1080пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | FDMA410NZ |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | MicroFET6 |
Описание
FDMA410NZ, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 9.5 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.