IPP65R190C6XKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.2A TO220
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 20.2A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 190 мОм @ 7.3А, 10В |
| Мощность макс.: | 151Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.5В @ 730 µA |
| Заряд затвора: | 73нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 1620пФ @ 100В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Наименование: | IPP65R190C6XKSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
IPP65R190C6XKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.2A TO220 - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.2A(Tc) Сопротивление открытого канала: 190 мОм @ 7.3А, 10В Мощность макс.: 151Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.