IPD60R1K4C6ATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 3.2А |
| Тип транзистора: | N-канальный |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPD60R1K4C6ATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
IPD60R1K4C6ATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 3.2А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount Наименование: IPD60R1K4C6ATMA1 Производитель: Infineon Technologies
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.