FDD3860, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.2 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 6.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 36 мОм |
| Мощность макс.: | 3.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 31нКл |
| Входная емкость: | 1740пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.793 г. |
| Наименование: | FDD3860 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
FDD3860, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.2 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.