FDC3612, Транзистор полевой N-канальный 100В 2.6A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 2.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 125 мОм |
| Мощность макс.: | 800мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 20нКл |
| Входная емкость: | 660пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23-6 |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | FDC3612 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
FDC3612, Транзистор полевой N-канальный 100В 2.6A - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.