SI1302DL-T1-E3, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 600 мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 600мА |
| Сопротивление открытого канала: | 480 мОм |
| Мощность макс.: | 280мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 1.4нКл |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-323 |
| Наименование: | SI1302DL-T1-E3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI1302DL-T1-E3, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 600 мА - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.