SI2329DS-T1-GE3, Транзистор полевой P-канальный 8В 6A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 8В |
| Ток стока макс.: | 6A |
| Сопротивление открытого канала: | 30 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 800mВ |
| Заряд затвора: | 29нКл |
| Входная емкость: | 1485пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Наименование: | SI2329DS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Компонент SI2329DS-T1-GE3, Транзистор полевой P-канальный 8В 6A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.